EMF18XV6T5G

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Parte di u fabricatore

EMF18XV6T5G

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - bipolari (bjt) - arrays, pre-biased
Serie
-
In magazinu
272000
Datasheets in linea
EMF18XV6T5G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • current - collector (ic) (max):100mA
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):50V, 60V
  • resistenza - basa (r1):47kOhms
  • resistenza - basa di emettitore (r2):47kOhms
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 5mA, 10V / 120 @ 1mA, 6V
  • saturazione vce (max) @ ib, ic:250mV @ 300µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):500nA
  • freccia - transizione:140MHz
  • putenza - max:500mW
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:SOT-563, SOT-666
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SOT-563
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