FD200R12PT4B6BOSA1

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Parte di u fabricatore

FD200R12PT4B6BOSA1

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
FD200R12 - IGBT MODULE
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - igbts - moduli
Serie
-
In magazinu
86
Datasheets in linea
FD200R12PT4B6BOSA1 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:Trench Field Stop
  • cunfigurazione:Three Phase Inverter
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1.2 V
  • current - collector (ic) (max):300 A
  • putenza - max:1.1 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 200A
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):15 µA
  • capacità di input (cies) @ vce:12.5 nF @ 25 V
  • input:Standard
  • termistore ntc:Yes
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C
  • tipu di muntatura:Chassis Mount
  • pacchettu / casu:Module
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:Module
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