Name: F475R07W2H3B51BOMA1
Brand: Rochester Electronics
SKU: F475R07W2H3B51BOMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: F475R07W2H3B51BOMA1

U fabricatore: Rochester Electronics

Descrizzione: IGBT, 75A, 650V, N-CHANNEL

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - igbts - moduli

Serie: -

In magazinu: 180

Datasheets in linea: F475R07W2H3B51BOMA1 PDF

F475R07W2H3B51BOMA1 Avvisu

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serie:-
pacchettu:Tray
statutu di parte:Obsolete
tipu igbt:-
cunfigurazione:Full Bridge Inverter
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):650 V
current - collector (ic) (max):75 A
putenza - max:520 W
vce(on) (max) @ vge, ic:1.55V @ 15V, 37.5A

corrente - cutoff di u cullettore (max):1 mA
capacità di input (cies) @ vce:4.7 nF @ 25 V
input:Standard
termistore ntc:Yes
temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Chassis Mount
pacchettu / casu:Module
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:Module

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