Name: NXH35C120L2C2ESG
Brand: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
SKU: NXH35C120L2C2ESG
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: NXH35C120L2C2ESG

U fabricatore: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Descrizzione: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - igbts - moduli

Serie: -

In magazinu: 0

Datasheets in linea: -

NXH35C120L2C2ESG Avvisu

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serie:-
pacchettu:Tube
statutu di parte:Active
tipu igbt:-
cunfigurazione:Three Phase Inverter with Brake
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1200 V
current - collector (ic) (max):35 A
putenza - max:20 mW
vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 35A

corrente - cutoff di u cullettore (max):250 µA
capacità di input (cies) @ vce:8.333 nF @ 20 V
input:Three Phase Bridge Rectifier
termistore ntc:Yes
temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Through Hole
pacchettu / casu:26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:26-DIP

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