DF100R07W1H5FPB54BPSA2

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Parte di u fabricatore

DF100R07W1H5FPB54BPSA2

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
IGBT MOD 650V 40A 20MW
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - igbts - moduli
Serie
-
In magazinu
29
Datasheets in linea
DF100R07W1H5FPB54BPSA2 PDF
Inchiesta
  • serie:EasyPACK™
  • pacchettu:Tray
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:Trench Field Stop
  • cunfigurazione:2 Independent
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):650 V
  • current - collector (ic) (max):40 A
  • putenza - max:20 mW
  • vce(on) (max) @ vge, ic:1.55V @ 15V, 25A
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):40 µA
  • capacità di input (cies) @ vce:2.8 nF @ 25 V
  • input:Standard
  • termistore ntc:Yes
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Chassis Mount
  • pacchettu / casu:Module
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:Module
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