FPF2C110BI07AS2

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Parte di u fabricatore

FPF2C110BI07AS2

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - igbts - moduli
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
FPF2C110BI07AS2 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tray
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:-
  • cunfigurazione:Half Bridge
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):650 V
  • current - collector (ic) (max):40 A
  • putenza - max:300 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.3V @ 15V, 40A
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):250 µA
  • capacità di input (cies) @ vce:-
  • input:Standard
  • termistore ntc:Yes
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:30-DIP Module
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:F2
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