GSID100A120T2C1

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Parte di u fabricatore

GSID100A120T2C1

U fabricatore
SemiQ
Descrizzione
IGBT MOD 1200V 200A 640W
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - igbts - moduli
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
GSID100A120T2C1 PDF
Inchiesta
  • serie:Amp+™
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:-
  • cunfigurazione:Three Phase Inverter
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1200 V
  • current - collector (ic) (max):200 A
  • putenza - max:640 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 100A
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):1 mA
  • capacità di input (cies) @ vce:13.7 nF @ 25 V
  • input:Three Phase Bridge Rectifier
  • termistore ntc:Yes
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C
  • tipu di muntatura:Chassis Mount
  • pacchettu / casu:Module
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:Module
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