Name: BSM75GD120DN2BOSA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: BSM75GD120DN2BOSA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: BSM75GD120DN2BOSA1

U fabricatore: IR (Infineon Technologies)

Descrizzione: IGBT MOD 1200V 103A 520W

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - igbts - moduli

Serie: -

In magazinu: 0

Datasheets in linea: -

BSM75GD120DN2BOSA1 Avvisu

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serie:-
pacchettu:Tray
statutu di parte:Not For New Designs
tipu igbt:-
cunfigurazione:Three Phase Inverter
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1200 V
current - collector (ic) (max):103 A
putenza - max:520 W
vce(on) (max) @ vge, ic:3V @ 15V, 75A

corrente - cutoff di u cullettore (max):1.5 mA
capacità di input (cies) @ vce:5.1 nF @ 25 V
input:Standard
termistore ntc:No
temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
tipu di muntatura:Chassis Mount
pacchettu / casu:Module
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:Module

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