VS-GT80DA120U

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Parte di u fabricatore

VS-GT80DA120U

U fabricatore
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Descrizzione
IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - igbts - moduli
Serie
-
In magazinu
98
Datasheets in linea
VS-GT80DA120U PDF
Inchiesta
  • serie:HEXFRED®
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:Trench
  • cunfigurazione:Single
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1200 V
  • current - collector (ic) (max):139 A
  • putenza - max:658 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.55V @ 15V, 80A
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):100 µA
  • capacità di input (cies) @ vce:4.4 nF @ 25 V
  • input:Standard
  • termistore ntc:No
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Chassis Mount
  • pacchettu / casu:SOT-227-4, miniBLOC
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SOT-227
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