BSM150GB170DN2HOSA1

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Parte di u fabricatore

BSM150GB170DN2HOSA1

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
IGBT MODULE
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - igbts - moduli
Serie
-
In magazinu
30
Datasheets in linea
BSM150GB170DN2HOSA1 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:-
  • cunfigurazione:Half Bridge
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1.7 V
  • current - collector (ic) (max):220 A
  • putenza - max:1.25 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:3.9V @ 15V, 150A
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):1.5 mA
  • capacità di input (cies) @ vce:20 nF @ 25 V
  • input:Standard
  • termistore ntc:No
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Chassis Mount
  • pacchettu / casu:Module
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:Module
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