NXH50C120L2C2ESG

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Parte di u fabricatore

NXH50C120L2C2ESG

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
IGBT MODULE, CIB 1200 V, 50 A IG
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - igbts - moduli
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu igbt:-
  • cunfigurazione:Three Phase Inverter with Brake
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1200 V
  • current - collector (ic) (max):50 A
  • putenza - max:20 mW
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 50A
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):250 µA
  • capacità di input (cies) @ vce:11.897 nF @ 20 V
  • input:Three Phase Bridge Rectifier
  • termistore ntc:Yes
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:26-DIP
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