MC33152VDG

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Parte di u fabricatore

MC33152VDG

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI
categuria
circuiti integrati
Famiglia
pmic - i driver di gate
Serie
-
In magazinu
8899
Datasheets in linea
MC33152VDG PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • cunfigurazione guidata:Low-Side
  • tipu di canali:Independent
  • numeru di cunduttori:2
  • tipu di porta:N-Channel MOSFET
  • tensione - supply:6.1V ~ 18V
  • tensione logica - vil, vih:0.8V, 2.6V
  • current - output piccu (fonte, sink):1.5A, 1.5A
  • tipu di input:Non-Inverting
  • alta tensione laterale - max (bootstrap):-
  • tempu di salita / caduta (tipu):36ns, 32ns
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-SOIC
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