TC58BYG2S0HBAI6

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Parte di u fabricatore

TC58BYG2S0HBAI6

U fabricatore
Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Descrizzione
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
categuria
circuiti integrati
Famiglia
memoria
Serie
-
In magazinu
338
Datasheets in linea
TC58BYG2S0HBAI6 PDF
Inchiesta
  • serie:Benand™
  • pacchettu:Tray
  • statutu di parte:Active
  • tipu di memoria:Non-Volatile
  • formatu di memoria:FLASH
  • tecnulugia:FLASH - NAND (SLC)
  • dimensione di memoria:4Gb (512M x 8)
  • interfaccia di memoria:Parallel
  • frequenza di u clock:-
  • scrive u tempu di ciclu - parolla, pagina:25ns
  • tempu d'accessu:25 ns
  • tensione - supply:1.7V ~ 1.95V
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 85°C (TA)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:67-VFBGA
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:67-VFBGA (6.5x8)
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