TH58BYG3S0HBAI6

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Parte di u fabricatore

TH58BYG3S0HBAI6

U fabricatore
Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Descrizzione
IC FLASH 8GBIT 67VFBGA
categuria
circuiti integrati
Famiglia
memoria
Serie
-
In magazinu
263
Datasheets in linea
TH58BYG3S0HBAI6 PDF
Inchiesta
  • serie:Benand™
  • pacchettu:Tray
  • statutu di parte:Active
  • tipu di memoria:Non-Volatile
  • formatu di memoria:FLASH
  • tecnulugia:FLASH - NAND (SLC)
  • dimensione di memoria:8Gb (1G x 8)
  • interfaccia di memoria:-
  • frequenza di u clock:-
  • scrive u tempu di ciclu - parolla, pagina:25ns
  • tempu d'accessu:-
  • tensione - supply:1.7V ~ 1.95V
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 85°C (TA)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:67-VFBGA
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:67-VFBGA (6.5x8)
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