CY7C25632KV18-550BZC

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Parte di u fabricatore

CY7C25632KV18-550BZC

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
QDR SRAM, 4MX18, 0.45NS, CMOS, P
categuria
circuiti integrati
Famiglia
memoria
Serie
-
In magazinu
256
Datasheets in linea
CY7C25632KV18-550BZC PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu di memoria:Volatile
  • formatu di memoria:SRAM
  • tecnulugia:SRAM - Synchronous, QDR II+
  • dimensione di memoria:72Mb (4M x 18)
  • interfaccia di memoria:Parallel
  • frequenza di u clock:550 MHz
  • scrive u tempu di ciclu - parolla, pagina:-
  • tempu d'accessu:-
  • tensione - supply:1.7V ~ 1.9V
  • temperatura di funziunamentu:0°C ~ 70°C (TA)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:165-LBGA
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:165-FBGA (13x15)
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