IRF6609TRPBF

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Parte di u fabricatore

IRF6609TRPBF

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
480000
Datasheets in linea
IRF6609TRPBF PDF
Inchiesta
  • serie:HEXFET®
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):20 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:31A (Ta), 150A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:2mOhm @ 31A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.45V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:69 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:6290 pF @ 10 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):1.8W (Ta), 89W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:DIRECTFET™ MT
  • pacchettu / casu:DirectFET™ Isometric MT
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