HAT2279H-EL-E

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Parte di u fabricatore

HAT2279H-EL-E

U fabricatore
Renesas Electronics America
Descrizzione
MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
2500
Datasheets in linea
HAT2279H-EL-E PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):80 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:30A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:12mOhm @ 15A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:-
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:60 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:3520 pF @ 10 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):25W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:LFPAK
  • pacchettu / casu:SC-100, SOT-669
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