VS-FB190SA10

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Parte di u fabricatore

VS-FB190SA10

U fabricatore
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Descrizzione
MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
48000
Datasheets in linea
VS-FB190SA10 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):100 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:190A (Tj)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:6.5mOhm @ 180A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4.35V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:250 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:10700 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):568W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Chassis Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SOT-227
  • pacchettu / casu:SOT-227-4, miniBLOC
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