Name: SI7107DN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SI7107DN-T1-GE3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: SI7107DN-T1-GE3

U fabricatore: Vishay / Siliconix

Descrizzione: MOSFET P-CH 20V 9.8A PPAK1212-8

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 98200

Datasheets in linea: SI7107DN-T1-GE3 PDF

SI7107DN-T1-GE3 Avvisu

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serie:TrenchFET®
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Obsolete
tipu fet:P-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):20 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:9.8A (Ta)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:10.8mOhm @ 15.3A, 4.5V
vgs (th) (max) @ id:1V @ 450µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:44 nC @ 4.5 V
vgs (max):±8V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:-
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):1.5W (Ta)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PowerPAK® 1212-8
pacchettu / casu:PowerPAK® 1212-8

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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