IRF5803

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Parte di u fabricatore

IRF5803

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
300000
Datasheets in linea
IRF5803 PDF
Inchiesta
  • serie:HEXFET®
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:P-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):40 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:3.4A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:112mOhm @ 3.4A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:37 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1110 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):2W (Ta)
  • temperatura di funziunamentu:-
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:Micro6™(TSOP-6)
  • pacchettu / casu:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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