Name: BSC059N03S G
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: BSC059N03S G
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: BSC059N03S G

U fabricatore: IR (Infineon Technologies)

Descrizzione: MOSFET N-CH 30V 17.5A/73A TDSON

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 1010000

Datasheets in linea: BSC059N03S G PDF

BSC059N03S G Avvisu

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serie:OptiMOS™
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Obsolete
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):30 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:17.5A (Ta), 73A (Tc)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:5.5mOhm @ 50A, 10V
vgs (th) (max) @ id:2V @ 35µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:21 nC @ 5 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:2670 pF @ 15 V
funzione fet:-
dissipazione di putenza (max):17.5W (Ta), 48W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-TDSON-8-1
pacchettu / casu:8-PowerTDFN

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