SI7123DN-T1-GE3

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Parte di u fabricatore

SI7123DN-T1-GE3

U fabricatore
Vishay / Siliconix
Descrizzione
MOSFET P-CH 20V 10.2A PPAK1212-8
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
20200
Datasheets in linea
SI7123DN-T1-GE3 PDF
Inchiesta
  • serie:TrenchFET®
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:P-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):20 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:10.2A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):1.8V, 4.5V
  • rds on (max) @ id, vgs:10.6mOhm @ 15A, 4.5V
  • vgs (th) (max) @ id:1V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:90 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±8V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:3729 pF @ 10 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):1.5W (Ta)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PowerPAK® 1212-8
  • pacchettu / casu:PowerPAK® 1212-8
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