Name: BSP135 E6327
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: BSP135 E6327
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: BSP135 E6327

U fabricatore: IR (Infineon Technologies)

Descrizzione: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - single

Serie: -

In magazinu: 60000

Datasheets in linea: BSP135 E6327 PDF

BSP135 E6327 Avvisu

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serie:SIPMOS®
pacchettu:Tape & Reel (TR)
statutu di parte:Discontinued at Digi-Key
tipu fet:N-Channel
tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
drain à a tensione di fonte (vdss):600 V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:120mA (Ta)
tensione di u drive (max rds on, min rds on):0V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:45Ohm @ 120mA, 10V
vgs (th) (max) @ id:1V @ 94µA

carica di porta (qg) (max) @ vgs:4.9 nC @ 5 V
vgs (max):±20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:146 pF @ 25 V
funzione fet:Depletion Mode
dissipazione di putenza (max):1.8W (Ta)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-SOT223-4
pacchettu / casu:TO-261-4, TO-261AA

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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