FQI27P06TU

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Parte di u fabricatore

FQI27P06TU

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
FQI27P06TU PDF
Inchiesta
  • serie:QFET®
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:P-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):60 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:27A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:70mOhm @ 13.5A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:43 nC @ 10 V
  • vgs (max):±25V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1400 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):3.75W (Ta), 120W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:I2PAK
  • pacchettu / casu:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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