IRF630NS

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Parte di u fabricatore

IRF630NS

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
2000
Datasheets in linea
IRF630NS PDF
Inchiesta
  • serie:HEXFET®
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):200 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:9.3A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:300mOhm @ 5.4A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:35 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:575 pF @ 25 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):82W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:D2PAK
  • pacchettu / casu:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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