BSS209PW L6327

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Parte di u fabricatore

BSS209PW L6327

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
MOSFET P-CH 20V 580MA SOT323-3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
3584500
Datasheets in linea
BSS209PW L6327 PDF
Inchiesta
  • serie:OptiMOS™
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:P-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):20 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:580mA (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):2.5V, 4.5V
  • rds on (max) @ id, vgs:550mOhm @ 580mA, 4.5V
  • vgs (th) (max) @ id:1.2V @ 3.5µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:1.38 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±12V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:89.9 pF @ 15 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):300mW (Ta)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-SOT323-3
  • pacchettu / casu:SC-70, SOT-323
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