RP1E100XNTR

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Parte di u fabricatore

RP1E100XNTR

U fabricatore
ROHM Semiconductor
Descrizzione
MOSFET N-CH 30V 10A MPT6
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
RP1E100XNTR PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):30 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:10A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):4V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:13mOhm @ 10A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:11 nC @ 5 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:800 pF @ 10 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):2W (Ta)
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:MPT6
  • pacchettu / casu:6-SMD, Flat Leads
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