Name: GT60N321(Q)
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: GT60N321(Q)
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: GT60N321(Q)

U fabricatore: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Descrizzione: IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - igbts - unicu

Serie: -

In magazinu: 0

Datasheets in linea: GT60N321(Q) PDF

GT60N321(Q) Avvisu

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serie:-
pacchettu:Tube
statutu di parte:Obsolete
tipu igbt:-
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1000 V
current - collector (ic) (max):60 A
current - collector pulsed (icm):120 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.8V @ 15V, 60A
putenza - max:170 W
scambià energia:-

tipu di input:Standard
carica di porta:-
td (on/off) @ 25°c:330ns/700ns
cundizione di prova:-
tempu di ricuperazione inversa (trr):2.5 µs
temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
tipu di muntatura:Through Hole
pacchettu / casu:TO-3PL
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-3P(LH)

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