GPA030A135MN-FDR

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Parte di u fabricatore

GPA030A135MN-FDR

U fabricatore
SemiQ
Descrizzione
IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - unicu
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
GPA030A135MN-FDR PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu igbt:Trench Field Stop
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1350 V
  • current - collector (ic) (max):60 A
  • current - collector pulsed (icm):90 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 30A
  • putenza - max:329 W
  • scambià energia:4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
  • tipu di input:Standard
  • carica di porta:300 nC
  • td (on/off) @ 25°c:30ns/145ns
  • cundizione di prova:600V, 30A, 5Ohm, 15V
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):450 ns
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-3
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-3PN
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