Name: GT50J121(Q)
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: GT50J121(Q)
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: GT50J121(Q)

U fabricatore: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Descrizzione: IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - igbts - unicu

Serie: -

In magazinu: 0

Datasheets in linea: GT50J121(Q) PDF

GT50J121(Q) Avvisu

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serie:-
pacchettu:Tube
statutu di parte:Obsolete
tipu igbt:-
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):600 V
current - collector (ic) (max):50 A
current - collector pulsed (icm):100 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.45V @ 15V, 50A
putenza - max:240 W
scambià energia:1.3mJ (on), 1.34mJ (off)

tipu di input:Standard
carica di porta:-
td (on/off) @ 25°c:90ns/300ns
cundizione di prova:300V, 50A, 13Ohm, 15V
tempu di ricuperazione inversa (trr):-
temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
tipu di muntatura:Through Hole
pacchettu / casu:TO-3PL
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-3P(LH)

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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