NESG2030M04-A

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Parte di u fabricatore

NESG2030M04-A

U fabricatore
CEL (California Eastern Laboratories)
Descrizzione
RF TRANS NPN 2.3V 60GHZ M04
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolari (bjt) - rf
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
NESG2030M04-A PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu di transistor:NPN
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):2.3V
  • freccia - transizione:60GHz
  • figura di rumore (db typ @ f):0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz
  • guadagnà:16dB
  • putenza - max:80mW
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:200 @ 5mA, 2V
  • current - collector (ic) (max):35mA
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:SOT-343F
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:M04
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