NESG2101M05-A

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Parte di u fabricatore

NESG2101M05-A

U fabricatore
CEL (California Eastern Laboratories)
Descrizzione
RF TRANS NPN 5V 17GHZ M05
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolari (bjt) - rf
Serie
-
In magazinu
2000000
Datasheets in linea
NESG2101M05-A PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Discontinued at Digi-Key
  • tipu di transistor:NPN
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):5V
  • freccia - transizione:17GHz
  • figura di rumore (db typ @ f):0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
  • guadagnà:11dB ~ 19dB
  • putenza - max:500mW
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:130 @ 15mA, 2V
  • current - collector (ic) (max):100mA
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:SOT-343F
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:M05
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