BFG35,115

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Parte di u fabricatore

BFG35,115

U fabricatore
NXP Semiconductors
Descrizzione
RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT223
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolari (bjt) - rf
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
BFG35,115 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu di transistor:NPN
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):18V
  • freccia - transizione:4GHz
  • figura di rumore (db typ @ f):-
  • guadagnà:-
  • putenza - max:1W
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:25 @ 100mA, 10V
  • current - collector (ic) (max):150mA
  • temperatura di funziunamentu:175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:TO-261-4, TO-261AA
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SOT-223
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