NE3512S02-A

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Parte di u fabricatore

NE3512S02-A

U fabricatore
CEL (California Eastern Laboratories)
Descrizzione
HJ-FET NCH 13.5DB S02
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - rf
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
NE3512S02-A PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu di transistor:HFET
  • frequenza:12GHz
  • guadagnà:13.5dB
  • tensione - prova:2 V
  • valutazione attuale (ampere):70mA
  • figura di rumore:0.35dB
  • currente - prova:10 mA
  • putenza - output:-
  • voltage - valutatu:4 V
  • pacchettu / casu:4-SMD, Flat Leads
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:S02
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