NE3509M04-A

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Parte di u fabricatore

NE3509M04-A

U fabricatore
CEL (California Eastern Laboratories)
Descrizzione
FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - rf
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
NE3509M04-A PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu di transistor:HFET
  • frequenza:2GHz
  • guadagnà:17.5dB
  • tensione - prova:2 V
  • valutazione attuale (ampere):60mA
  • figura di rumore:0.4dB
  • currente - prova:10 mA
  • putenza - output:11dBm
  • voltage - valutatu:4 V
  • pacchettu / casu:SOT-343F
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:M04
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