APTSM120AM25CT3AG

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Parte di u fabricatore

APTSM120AM25CT3AG

U fabricatore
Microsemi
Descrizzione
POWER MODULE - SIC
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N-Channel (Dual), Schottky
  • funzione fet:Silicon Carbide (SiC)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):1200V (1.2kV)
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:148A (Tc)
  • rds on (max) @ id, vgs:25mOhm @ 80A, 20V
  • vgs (th) (max) @ id:3V @ 4mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:544nC @ 20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:10200pF @ 1000V
  • putenza - max:937W
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Chassis Mount
  • pacchettu / casu:SP3
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SP3
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