IRF5810TRPBF

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Parte di u fabricatore

IRF5810TRPBF

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
2000
Datasheets in linea
IRF5810TRPBF PDF
Inchiesta
  • serie:HEXFET®
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:2 P-Channel (Dual)
  • funzione fet:Logic Level Gate
  • drain à a tensione di fonte (vdss):20V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:2.9A
  • rds on (max) @ id, vgs:90mOhm @ 2.9A, 4.5V
  • vgs (th) (max) @ id:1.2V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:9.6nC @ 4.5V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:650pF @ 16V
  • putenza - max:960mW
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:6-TSOP
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