APTMC120AM08CD3AG

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Parte di u fabricatore

APTMC120AM08CD3AG

U fabricatore
Roving Networks / Microchip Technology
Descrizzione
MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
APTMC120AM08CD3AG PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N-Channel (Half Bridge)
  • funzione fet:Silicon Carbide (SiC)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):1200V (1.2kV)
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:250A (Tc)
  • rds on (max) @ id, vgs:10mOhm @ 200A, 20V
  • vgs (th) (max) @ id:2.2V @ 10mA (Typ)
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:490nC @ 20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:9500pF @ 1000V
  • putenza - max:1100W
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Chassis Mount
  • pacchettu / casu:D-3 Module
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:D3
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