SI7540DP-T1-GE3

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Parte di u fabricatore

SI7540DP-T1-GE3

U fabricatore
Vishay / Siliconix
Descrizzione
MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
4377
Datasheets in linea
SI7540DP-T1-GE3 PDF
Inchiesta
  • serie:TrenchFET®
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:N and P-Channel
  • funzione fet:Logic Level Gate
  • drain à a tensione di fonte (vdss):12V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:7.6A, 5.7A
  • rds on (max) @ id, vgs:17mOhm @ 11.8A, 4.5V
  • vgs (th) (max) @ id:1.5V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:17nC @ 4.5V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:-
  • putenza - max:1.4W
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:PowerPAK® SO-8 Dual
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PowerPAK® SO-8 Dual
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