Name: QJD1210011
Brand: Powerex, Inc.
SKU: QJD1210011
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: QJD1210011

U fabricatore: Powerex, Inc.

Descrizzione: MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - arrays

Serie: -

In magazinu: 0

Datasheets in linea: QJD1210011 PDF

QJD1210011 Avvisu

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serie:-
pacchettu:Bulk
statutu di parte:Active
tipu fet:2 N-Channel (Dual)
funzione fet:Silicon Carbide (SiC)
drain à a tensione di fonte (vdss):1200V (1.2kV)
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:100A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:25mOhm @ 100A, 20V

vgs (th) (max) @ id:5V @ 10mA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:500nC @ 20V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:10200pF @ 800V
putenza - max:900W
temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:Chassis Mount
pacchettu / casu:Module
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:Module

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