PHN210,118

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Parte di u fabricatore

PHN210,118

U fabricatore
NXP Semiconductors
Descrizzione
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:TrenchMOS™
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:2 N-Channel (Dual)
  • funzione fet:Logic Level Gate
  • drain à a tensione di fonte (vdss):30V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:-
  • rds on (max) @ id, vgs:100mOhm @ 2.2A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.8V @ 1mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:6nC @ 10V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:250pF @ 20V
  • putenza - max:2W
  • temperatura di funziunamentu:-65°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-SO
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