PDTA123ES,126

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Parte di u fabricatore

PDTA123ES,126

U fabricatore
NXP Semiconductors
Descrizzione
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolari (bjt) - unicu, pre-biased
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
PDTA123ES,126 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Box (TB)
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu di transistor:PNP - Pre-Biased
  • current - collector (ic) (max):100 mA
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):50 V
  • resistenza - basa (r1):2.2 kOhms
  • resistenza - basa di emettitore (r2):2.2 kOhms
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:30 @ 20mA, 5V
  • saturazione vce (max) @ ib, ic:150mV @ 500µA, 10mA
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):1µA
  • freccia - transizione:-
  • putenza - max:500 mW
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-92-3
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