Name: PDTD113ES,126
Brand: NXP Semiconductors
SKU: PDTD113ES,126
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: PDTD113ES,126

U fabricatore: NXP Semiconductors

Descrizzione: TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - bipolari (bjt) - unicu, pre-biased

Serie: -

In magazinu: 0

Datasheets in linea: PDTD113ES,126 PDF

PDTD113ES,126 Avvisu

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serie:-
pacchettu:Tape & Box (TB)
statutu di parte:Obsolete
tipu di transistor:NPN - Pre-Biased
current - collector (ic) (max):500 mA
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):50 V
resistenza - basa (r1):1 kOhms
resistenza - basa di emettitore (r2):1 kOhms

guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:33 @ 50mA, 5V
saturazione vce (max) @ ib, ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
corrente - cutoff di u cullettore (max):500nA
freccia - transizione:-
putenza - max:500 mW
tipu di muntatura:Through Hole
pacchettu / casu:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-92-3

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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