VS-GB75DA120UP

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Parte di u fabricatore

VS-GB75DA120UP

U fabricatore
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Descrizzione
IGBT MODULE 1200V 658W SOT227
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - igbts - moduli
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
VS-GB75DA120UP PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu igbt:NPT
  • cunfigurazione:Single
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1200 V
  • current - collector (ic) (max):-
  • putenza - max:658 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:3.8V @ 15V, 75A
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):250 µA
  • capacità di input (cies) @ vce:-
  • input:Standard
  • termistore ntc:No
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Chassis Mount
  • pacchettu / casu:SOT-227-4, miniBLOC
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SOT-227
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