Name: VS-GB100TH120N
Brand: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
SKU: VS-GB100TH120N
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: VS-GB100TH120N

U fabricatore: Vishay General Semiconductor – Diodes Division

Descrizzione: IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - igbts - moduli

Serie: -

In magazinu: 0

Datasheets in linea: VS-GB100TH120N PDF

VS-GB100TH120N Avvisu

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serie:-
pacchettu:Bulk
statutu di parte:Obsolete
tipu igbt:-
cunfigurazione:Half Bridge
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):1200 V
current - collector (ic) (max):200 A
putenza - max:833 W
vce(on) (max) @ vge, ic:2.35V @ 15V, 100A

corrente - cutoff di u cullettore (max):5 mA
capacità di input (cies) @ vce:8.58 nF @ 25 V
input:Standard
termistore ntc:No
temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
tipu di muntatura:Chassis Mount
pacchettu / casu:Double INT-A-PAK (3 + 4)
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:Double INT-A-PAK

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