H11G2M_F132

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Parte di u fabricatore

H11G2M_F132

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
categuria
isolanti
Famiglia
optoisolators - transistor, output photovoltaic
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
H11G2M_F132 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Obsolete
  • numeru di canali:1
  • voltage - isolamentu:4170Vrms
  • rapportu di trasferimentu di corrente (min):1000% @ 10mA
  • rapportu di trasferimentu attuale (max):-
  • accende / spegne l'ora (tipu):5µs, 100µs
  • tempu di salita / caduta (tipu):-
  • tipu di input:DC
  • tipu di output:Darlington with Base
  • tensione - output (max):80V
  • currente - output / canale:-
  • tensione - avanti (vf) (tipu):1.3V
  • current - dc forward (se) (max):60 mA
  • saturazione vce (max):1V
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 100°C
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:6-DIP
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