SI4447DY-T1-E3

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Parte di u fabricatore

SI4447DY-T1-E3

U fabricatore
Vishay / Siliconix
Descrizzione
MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
6540
Datasheets in linea
SI4447DY-T1-E3 PDF
Inchiesta
  • serie:TrenchFET®
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:P-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):40 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:3.3A (Ta)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):15V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:72mOhm @ 4.5A, 15V
  • vgs (th) (max) @ id:2.2V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:14 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±16V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:805 pF @ 20 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):1.1W (Ta)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-SO
  • pacchettu / casu:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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