AONS1R6A70

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Parte di u fabricatore

AONS1R6A70

U fabricatore
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizzione
MOSFET N-CH 700V 1.1A/4.6A 8DFN
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
2987
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:aMOS™
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):700 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:1.1A (Ta), 4.6A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:1.6Ohm @ 1A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:3.5V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:8 nC @ 10 V
  • vgs (max):±30V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:354 pF @ 100 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):4.1W (Ta), 78W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-DFN-EP (5x6)
  • pacchettu / casu:8-PowerVDFN
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