IRL6283MTRPBF

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Parte di u fabricatore

IRL6283MTRPBF

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
DIRECTFET N-CHANNEL POWER MOSFET
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
4800
Datasheets in linea
IRL6283MTRPBF PDF
Inchiesta
  • serie:HEXFET®, StrongIRFET™
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):20 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:38A (Ta), 211A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):2.5V, 4.5V
  • rds on (max) @ id, vgs:0.75mOhm @ 50A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:1.1V @ 100µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:158 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±12V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:8.292 pF @ 10 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):2.1W (Ta), 63W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:DIRECTFET™ MD
  • pacchettu / casu:DirectFET™ Isometric MD
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