IPD053N06NATMA1

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Parte di u fabricatore

IPD053N06NATMA1

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - single
Serie
-
In magazinu
250000
Datasheets in linea
IPD053N06NATMA1 PDF
Inchiesta
  • serie:OptiMOS™
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • tecnulugia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):60 V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:18A (Ta), 45A (Tc)
  • tensione di u drive (max rds on, min rds on):6V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:5.3mOhm @ 45A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.8V @ 36µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:27 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:2000 pF @ 30 V
  • funzione fet:-
  • dissipazione di putenza (max):3W (Ta), 83W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-TO252-3
  • pacchettu / casu:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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